Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых ...

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов ...

Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления наноуглеродного материала (НУМ), содержащего углеродные нанотрубки, в магнитном поле до 5 Тл и температуре до 0,54 К. Полученные экспериментальные ...

Изучены осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок p(H) 5,68·10¹¹ см² и подвижностью μ= 4,68·10⁴ см² ·В⁻¹·с⁻¹ в ...

Измерена проводимость носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в температурном интервале 0,5-1,9 К в прижимающих электрических полях до 4 кВ/см на частоте 1,1 МГц. Квазиодномерные каналы реализовывались ...

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами ...

В гетеропереходе Si/Si₀,₆₄Ge₀,₃₆ с дырочным типом проводимости реализован эффект электронного перегрева. Из анализа затухания амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза пpи изменении температуры и приложенного электрического ...